Прецизійний терморегульований комплекс кріогенної апаратури для дослідження вольт-амперних характеристик тунельних контактів надпровідних матеріалів

ЗаголовокПрецизійний терморегульований комплекс кріогенної апаратури для дослідження вольт-амперних характеристик тунельних контактів надпровідних матеріалів
Тип публікаціїJournal Article
Year of Publication2020
АвториЖарков, ІП, Сафронов, ВВ, Ходунов, ВО, Коновал, ВМ, Маслов, ВО, Селіванов, ОВ, Солонецький, АГ, Каленюк, ОА, Шаповалов, АП, Шатернік, ВЄ
Short TitleNauka innov.
DOI10.15407/scin16.04.060
Об'єм16
Проблема4
РубрикаНауково-технічні інноваційні проекти Національної академії наук України
Pagination60-70
МоваУкраїнська
Анотація

Вступ. Дослідження вольт-амперних характеристик (ВАХ) та їхніх похідних тунельних контактів та гібридних гетероструктур на базі надпровідних та феромагнітних матеріалів під дією надвисокочастотного (НВЧ) випромінювання та магнітних полів в широкому діапазоні температур є актуальним завданням для розроблення елементної бази спінтроніки, надпровідникової електроніки (зокрема для надпровідних і квантових комп’ютерів) та надчутливих сенсорів.
Проблематика. Одним із сучасних інформативних фізичних методів досліджень властивостей тунельних контактів та гібридних гетероструктур на базі надпровідних та феромагнітних матеріалів є дослідження ВАХ та їхніх похідних в області низьких температур (переважно діапазон рідкого гелію) в магнітному полі. Сюди входить дослідження магнітоопору, ефекту Холла, квантового ефекту Холла, зокрема й під дією спінової інжекції. На сьогодні не існує прецизійного комплексу терморегульованої кріогенної апаратури для досліджень ВАХ тунельних контактів надпровідних матеріалів, який би повністю міг задовольнити потреби вивчення параметрів надпровідних матеріалів.
Мета. Розроблення конструкції та виготовлення прецизійного терморегульованого комплексу кріогенної апаратури для досліджень ВАХ тунельних контактів надпровідних матеріалів.
Результати. Виготовлено комплекс прецизійної терморегульованої кріогенної системи (діапазон температур 2,0-300К) для дослідження ВАХ тунельних контактів надпровідних матеріалів. Комплекс створено на базі гелієвого кріостата рідинно-проточного типу з вбудованим надпровідним соленоїдом (НПС) (діапазон магнітного поля 0-2,9Тл) та спеціалізованим маніпулятором для зміни напрямку магнітного поля, з регулятором температури, з програмованим блоком живлення НПС, автоматизованим блоком вимірювання ВАХ та програмним забезпеченням до нього.
Висновки. Характеристики створеного кріокомплексу не поступаються параметрам кращих західних аналогів, а за показниками економічності використання кріоагенту та сервісу перевищують їх.

Ключові словавольт-амперні характеристики, надпровідні гетероструктури, терморегульована гелієва кріосистема, тунельні контакти
Посилання
1. Патент України на винахід № 98974. Жарков І.П., Сафронов В.В., Чмуль А.Г., Ходунов В.О. Терморегульована кріостатна система для магнітооптичних та електрофізичних досліджень. 
2. Патент РФ на изобретение № 2466446. Жарков И.П., Сафронов В.В., Ходунов В.А., Чмуль А.Г. Терморегулируемая криостатная система для магнитооптических и электрофизических исследований.
3. Жарков І.П., Сафронов В.В., Паламарчук С.П., Пилипчук О.С., Солонецький А.Г., Ходунов В.О. Комплекс кріоапаратури з вбудованим надпровідним соленоїдом для магнітофізичних та електрофізичних досліджень. Наука та інновації. 2016. Т. 12, № 3. С. 29–34. 
4. Патент України на винахід № 112992. Жарков І.П., Пилипчук О.С., Порошин В.М., Сафронов В.В., Ходунов В.О. Терморегульована кріостатна система для магнітофізичних та електрофізичних досліджень.
5. Жарков І.П., Сафронов В.В., Ходунов В.О., Коновал В.М., Маслов В.О., Селіванов О.В., … Насєка В.М. Сворення спеціалізованих маніпуляторів для низькотемпературних досліджень. Наука та інновації. 2018. Т. 14, № 2. С. 29–36. 
6. Патент України №120401 на корисну модель. Жарков І.П., Коновал В.М., Маслов В.О., Селіванов О.В., Сафронов, В.В., Солонецький А.Г., … Ніколенко А.С. Вставка кріостата для електромагнітооптичних досліджень.
7. Жарков І.П., Іващенко О.М., Сафронов В.В., Солонецький А.Г. Компактне джерело живлення надпровідних соленоїдів. Наука та інновації. 2010. Т. 6, № 5. С. 60–64.
8. Патент України на винахід № 87503. Жарков І.П., Іващенко О.М., Сафронов В.В., Погребняк С.В. Спосіб та пристрій для регулювання температури.
9. Патент Российской Федерации на изобретение № 2366998. Жарков И.П., Иващенко А.Н,, Погребняк С.В.,Сафронов В.В. Способ регулирования и стабилизации температуры и устройство для его осуществления.
10. Каленюк А. А., Ребиков А. И., Черенько С. С. Статические и динамические вольтамперные характеристики тонких сверхпроводящих пленок YBa2Cu3O7-δ. Металлофизика и новейшие технологии. 2013. Т. 35, № 3. С. 377–387.